Уже через два года Samsung начнёт производство полупроводниковой продукции по техпроцессу 3 нм

Как сообщает источник, компания Samsung рассказала о планах на развитие своих полупроводниковых технологий.

Уже в 2021 году компания намерена начать производство продукции с использованием трёхнанометрового техпроцесса с технологией GAAFET (Gate All Around FET). Технология GAA находится в разработке ещё с 2000 года. Транзисторы GAA имеют четыре затвора, что позволяет преодолеть физические ограничения по масштабированию.

Уже через два года Samsung начнёт производство полупроводниковой продукции по техпроцессу 3 нм
Оцените статью