Компания SK Hynix сообщила о разработке микросхемы оперативной памяти DDR4 (Double Data Rate 4) плотностью 8 Гбит, рассчитанной на выпуск по технологии 1Ynm. По сравнению с подобными изделиями, выпускаемыми по технологии предыдущего поколения 1Xnm, производительность удалось увеличить на 20%, а потребление энергии снизить более чем на 15%.
